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Atualização: Qua, 28 de Março de 2012 às 13h37 | Por: Antonio Ricardo Zanatta | RSS

Propriedades ópticas-eletrônicas de materiais de gap grande

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Responsável: - Antonio Ricardo Zanatta
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Além do estudo sistemático dos chamados semicondutores convencionais (à base de Si e de Ge, por exemplo), o LFF possui uma linha de pesquisa dedicada a compostos de bandgap grande (Eg > 2eV). Dentre os compostos produzidos e investigados destacam-se ligas de SiN, GeN, e AlN, puros ou dopados. Uma visão geral dos trabalhos nesta área (não apenas realizados no LFF) pode ser encontrada em um capítulo de livro publicado recentemente (http://www.intechopen.com/books/cathodoluminescence/cathodoluminescence-from-amorphous-and-nano-crystalline-nitride-and-oxide-thin-films-doped-with-rare).

Tags: wide bandgap materials, cathodoluminescence

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