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Ivan Braga Gallo Mestrado
E-mail:
ivangallo@ursa.ifsc.usp.br
Fone: +55 16 3373 8091
Sala: 15
Currículo Lattes: http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.jsp?id=K4282466P5
Orientador/Supervisor: Antonio Ricardo Zanatta
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Perfil/Atividades

Este Plano de Pesquisa tem por objetivo a síntese e a caracterização espectroscópica de compostos à base de silício. Os sistemas investigados consistirão de filmes finos de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) e a-SiN com concentrações de Fe variando desde o nível de dopagem até a eventual formação de ligas. Os filmes serão preparados pela técnica de sputtering de rádio frequência envolvendo diferentes condições experimentais de forma a produzir amostras com diferentes composições atômicas e, consequentemente, diferentes propriedades ópticas-eletrônicas. Uma vez preparados, os filmes serão submetidos às seguintes caracterizações experimentais: (a) estrutural (mediante as técnicas de espectroscopia Raman ou de difração de raios-x), (b) óptica-eletrônica (transmissão óptica e foto-luminescência), (c) composicional (espectroscopia de absorção no infra-vermelho, análise por feixe de íons, foto-emissão), e (d) morfológica (técnicas de microscopia óptica, eletrônica e de força atômica). Em paralelo às caracterizações acima mencionadas, as amostras receberão tratamentos térmicos a fim de estabelecer a possível influência de suas propriedades estruturais e/ou composicionais sobre a atividade óptica dos filmes. Por fim, e a partir de uma abordagem original e sistemática, esperamos obter materiais de qualidade eletrônica combinando características de filmes de a-Si:H ou a-SiN e estruturas do tipo B-FeSi2, um tema de grande interesse atual tanto sob o aspecto acadêmico quanto tecnológico.

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