Infra-estrutura

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Laboratório de Filmes Finos

Alocado em uma área de aproximadamente 50 m2 (disposta em salas individuais com instalações elétricas e hidráulicas, condicionadores de ar, etc.), atualmente, o LFF dispõe da seguinte infra-estrutura laboratorial: 

► facilidades para o corte, limpeza e manuseio de substratos especiais;

► sistema de deposição de filmes finos pela técnica de sputtering de rádio frequência (13.56 MHz), dedicado à produção de compostos à base de Si, Ge, GaAs, Al, Ti e nitretos diversos (SiN, GeN, GaAsN, AlN, TiN, etc.), dopados com diferentes íons terra-rara e/ou metais de transição.

► evaporadora térmica resistiva para a deposição de contatos metálicos para a confecção de protótipos de dispositivos eletro-ópticos simples;

► forno tipo mufla com temperatura (300–1200 K) e atmosfera (fluxos de Ar, N2 ou O2) controladas;

► sistema para medidas de foto-luminescência (PL) nas regiões do UV-VIS-NIR (~200–1000nm) e NIR-IR (800–1700 nm);

► espectrômetro acoplado a um microscópio óptico para medidas de espalhamento Raman e foto-luminescência (PL) com resolução espacial da ordem de ~ 1 µm;

► micro-FTIR operando na região de 650-4000 cm–1 (resolução espacial de ~ 20 μm), equipado com câmera digital para o registro de imagens;

► facilidades para realização de medidas ópticas resolvidas no tempo, de eletro-luminescência, fontes de excitação UV-VIS, fibras ópticas e acessórios, detectores especiais, amplificadores lock-in, amplificadores-geradores de sinal, osciloscópio digital, fontes de corrente-tensão, etc.

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