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LFF - Laboratório de Filmes Finos
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Quem somos

Laboratório de Filmes Finos - LFF

Desde a sua criação em 1999, o LFF tem se dedicado à pesquisa de novos materiais com possíveis aplicações na moderna indústria micro-eletrônica. Neste sentido, diversos compostos semicondutores e dielétricos, de estrutura amorfa ou (micro-)cristalina, preparados sob a forma de filmes finos, são sistematicamente produzidos e investigados. Como parte fundamental destas atividades, e para uma compreensão detalhada dos diferentes fenômenos físico-químicos existentes nestes compostos, diferentes técnicas experimentais são empregadas: espectroscopia óptica (espalhamento Raman, emissão e absorção nas regiões do IR-VIS-UV), espectroscopia eletrônica (XPS e Auger), caracterização estrutural (difração de raios-x), microscopias eletrônica (SEM e TEM) e de força atômica (AFM), análise composicional (RBS, NRA, ERD), ressonância magnética (EPR), etc. Para atingir seus objetivos o LFF conta com colaborações científicas envolvendo laboratórios nacionais e internacionais, onde técnicas de caracterização complementares e projetos em cooperação são realizados (USP, UNICAMP, PUC-RJ, Paul Drude Institute- Germany, Los Alamos National Laboratory- USA, University of Erlangen- Germany, Universitat de València- Spain, etc.).

Dentro deste contexto, merecem destaque as seguintes atividades desenvolvidas pelo LFF:

(a) pesquisas na área de filmes dopados com íons terra-rara, em especial sobre filmes de a-SiN dopados com Y, La, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb e Lu;

(b) realização de estudos sistemáticos sobre a cristalização de filmes de a-Ge e a-Si induzida por mecanismos “químicos” (metal-induced crystallization) e por radiação laser (laser-induced crystallization & structuring);

(c) estudo espectroscópico (óptico e eletrônico) sobre compostos ternários de a-GaxAsyNz, intrínsecos e dopados com Er, preparados pela técnica de rf sputtering;

(d)  estudo sobre filmes de a-AlN intrínsecos e dopados com Er, Sm e Cr, envolvendo o preparo, segundo diferentes condições de deposição, e posterior investigação óptica, eletrônica, estrutural, morfológica, etc;

(e) síntese e caracterização de micro-estruturas de Rubi (Cr-doped Al2O3) e de padrões micro-estruturados sobre filmes de a-Ge(N) dopados com diferentes íons terra-rara;  

(f) técnicas de espectroscopia óptica para a investigação de sistemas nano-estruturados (à base de Si e de C) em função da aplicação de pressões externas e de temperatura;

(g) etc.

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